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分立器件晶圓集成電路

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小信號(hào)開關(guān)二極管
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MOSFET
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快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
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整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

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瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
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可控硅
單向可控硅雙向可控硅

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瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

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MOSFET

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高壓MOSFET(500V-1000V)
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IGBT

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4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
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PSBD芯片
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集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
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產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

用于光伏逆變器、儲(chǔ)能逆變器的微溝槽IGBT

用于光伏逆變器、儲(chǔ)能逆變器的微溝槽IGBT 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 TO-247PLUS 封裝 160A 650V IGBT單管，產(chǎn)品采用1.6um微溝槽工藝平臺(tái)，大大提高功率密度，具有較低的導(dǎo)通損耗及開關(guān)損耗，為光伏儲(chǔ)能行業(yè)提供大功率單管解決方案。

產(chǎn)品特點(diǎn) 1. 采用1.6um微溝槽工藝平臺(tái)；
2. 電壓等級(jí)為650V，電流等級(jí)為160A@Tc=100℃ ；
3. 低導(dǎo)通損耗，低開關(guān)損耗；
4. 配置有軟度極佳的反并聯(lián)快恢復(fù)二極管

規(guī)格書

DGQ160N65CTS2A

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