久久久久久精品人妻免费网站,青娱乐在线极品盛宴,18禁美女裸身图无遮挡,亚洲乱码无码一区二区三区

中文 EN
首頁(yè)
關(guān)于我們
新品發(fā)布
用于散熱風(fēng)扇控制的N+P Dual 30V Trench MOSFET
用于散熱風(fēng)扇控制的N+P Dual 30V Trench MOSFET 返回
 新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 近年來(lái)服務(wù)器電源的功率要求不斷提升，產(chǎn)品體積小型化的趨勢(shì)下，對(duì)散熱的要求帶來(lái)更加嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。揚(yáng)杰科技近日推出采用TSMT8封裝的N+P雙芯片合封MOSFET，簡(jiǎn)化產(chǎn)品電路橋接結(jié)構(gòu)的同時(shí)保留了工程師應(yīng)用的靈活性，并可較大限度節(jié)省PCB尺寸面積，適用于內(nèi)部空間狹小的各類(lèi)散熱風(fēng)扇產(chǎn)品。
產(chǎn)品特點(diǎn) 1、產(chǎn)品采用PDFN3030-8L（TSMT8） N+P雙芯框架合封的產(chǎn)品，相對(duì)DFN3333(3.3X3.3mm )同類(lèi)封裝，具有更小的尺寸 (2.8X2.9mm )，更適用于對(duì)于尺寸有極高要求的小型風(fēng)扇；
2、產(chǎn)品具有過(guò)流能力強(qiáng)，熱阻低，更寬范圍的SOA的特點(diǎn)；
3、N MOS與PMOS合封，簡(jiǎn)化電路橋接結(jié)構(gòu)的同時(shí)保留工程師應(yīng)用的靈活性；
規(guī)格書(shū)

YJU3724A YJU4606A

相關(guān)新品

汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)用N40V SGT MOSFET新品

IGBT低損耗系列

1200V 80 mΩ SIC MOSFET

1200V 40mΩ 碳化硅MOSFET

N60V SGT MOSFET新品

IGBT 50A/75A 1200V單管——工控應(yīng)用

IGBT 50A 1200V單管——工控應(yīng)用

用于光伏微逆變、工業(yè)電源、服務(wù)器電源的SJ MOSFET

用于負(fù)載開(kāi)關(guān)的P 40V Trench新品

IGBT快速系列

Privacy Cookies 本網(wǎng)站使用瀏覽器紀(jì)錄 Cookies 來(lái)優(yōu)化您的使用體驗(yàn)，相關(guān)信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)我們的法律聲明與隱私聲明。如果您選擇繼續(xù)瀏覽這個(gè)提示，便表示您已接受我們網(wǎng)站的使用條款。